8205A8采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置。8205A8是一颗双N沟道的低内阻场效应MOS管。双MOS的D极内部是连接在一起的。8205A8采用TSSOP8封装。
8205A8常常于DW01搭配组成一套完整的锂电池充电放电保护电路系列。
8205A8的基本参数:VDS = 20V,ID = 6A , RDS(ON) < 27 mΩ @ VGS=4.5V
RDS(ON) < 37 mΩ @ VGS=2.5V
供应8205S六脚小封装双NMOS,8205A大封装8脚
发布日期 :2020-08-12 22:54访问:1次发布IP:117.136.34.10编号:6697302
详细介绍 8205A8采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置。8205A8是一颗双N沟道的低内阻场效应MOS管。双MOS的D极内部是连接在一起的。8205A8采用TSSOP8封装。 8205A8常常于DW01搭配组成一套完整的锂电池充电放电保护电路系列。 8205A8的基本参数:VDS = 20V,ID = 6A , RDS(ON) < 27 mΩ @ VGS=4.5V 相关产品 相关分类 |
联系我们
|